Я собирал этот тестер используя информацию с разных форумов. Схем существует несколько вариантов (но не столько, сколько прошивок)
В итоге получился компактный, недорогой не требующий точных деталей в схеме, удобный и функциональный приборчик!
Типы тестируемых деталей:
(имя элемента - индикация на дисплее):
- NPN транзисторы - на дисплее "NPN"
- PNP транзисторы - на дисплее "PNP"
- N-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "N-E-MOS"
- P-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "P-E-MOS"
- N -канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "N-D-MOS"
- P -канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "P-D-MOS"
- N-канальные JFET - на дисплее "N-JFET"
- P-канальные JFET - на дисплее "P-JFET"
- Тиристоры - на дисплее "Tиристор"
- Симисторы - на дисплее "ТРИАК"
- Диоды - на дисплее "Диод"
- Двухкатодные сборки диодов - на дисплее "Дв диод CA"
- Двуханодные сборки диодов - на дисплее " Дв диод CС"
- Два последовательно соединенных диода - на дисплее "2 диода послед."
- Диоды симметричные - на дисплее "2 диода встречные"
- Резисторы - диапазон от 1 Ом до 10 МОм [Ом,KОм]
- Конденсаторы - диапазон от 0,2nF до 5000uF
Описание дополнительных параметров измерения:
- H21e (коэффициент усиления по току) - диапазон до 1000
- (1-2-3) - порядок подключенных выводов элемента
- Наличие элементов защиты - диода - "Символ диода"
- Прямое напряжение – Uf
- Напряжение открытия (для MOSFET) - Vt
- Емкость затвора (для MOSFET) - C=
Фьюзы для PonyProg
Так-же можно, с помощью PonyProg откорректировать константы измерения C и R на фото отмечены ячейки.
Число в средней ячейке буфера меняем с шагом + или - 1 (зависит в какую сторону нужно вносить правку и на сколько, это может быть и число 10),
после изменения числа в ячейке, программируем МК, затем делаем тест известной детали, сравниваем до и после.
Повторяем при необходимости процедуру.
Прошивка для ATmega8 и ATmega8А, в архиве (английский и русский
EEPROM, правильное отображение в кирилице µ
и Omega
) Tr-TestNew_11_01_2011.rar
Печатная плата lay, под индикатор 1602В, скачать архив здесь Tester_P-P.rar
По большому счёту, наладки и настройки прибора особой нет, любители конечно могут подстроить показания R и C так вроде это уже подробно расписано и проблем тоже не должно быть.
Вот и на сайте автора, я посмотрел на что нужно обратить внимание при запуске и настройке прибора.
Перевод мой вольный но смысл я думаю полностью одинаков.
Поиск и устранение неисправностей
Если что-то стало показывать на дисплее, проверить следующие параметры:
Правильность подключения к LCD (проверяем по датшиту разводку ЖК индикатора)?
С HD44780 ЖК-совместимый контроллер?
Проверить фьюзы бит ATMega8, правильно (внутренний генератор на 1 МГц)?
Прошит ли ЕЕР. файл, считать в EEPROM контроллера?
Возможно LCD нуждаются в подстройке напряжение контраста. Сопротивление должно быть отрегулировано в любом случае LCD настраивается для получения хорошего контраста (при необходимости использовать потенциометр).
Если собрана плата на компонентах правильной комплектации, и правильный порядок подключения к щупам, показывает что компонент обнаружен, хотя он не подключен или такие данные, такие как коэффициент усиления для различных последовательностей подключения существенно расходятся, смотреть остаток флюса на дорожках, плохой состав флюса или аналогичные компоненты для пайки, нужно пересмотреть и очистить. Между дорожек на изм. щупы не должно оставаться остаточного компонента флюса. Флюс обычно немного проводящий, приведёт к утечке протекающего тока через флюс, и к искажению результата.
Все, вот такие всемирные рекомендации,
ничего нового и ничего особенного,(условие применение номиналов деталей соблюдается в первую очередь) смотреть нужно только ошибки монтажа, а это скажу я вам, не всегда просто, ведь легче найти ошибку у других, чем признать свою ошибку (шутка)........
Данный прибор предназначен для измерения параметров радиодеталей. тестер умеет определять вывода диодов, транзисторов, светодиодов. Показывает емкость конденсаторов и резисторов в определенном диапазоне. Ниже в архиве есть несколько вариантов печатных плат, в том числе и для SMD монтажа.
Характеристики прибора следующие:
Сопротивления: от 1 Ома до 10 МОм
Конденсаторы: от 190пФ до 10000мкф чем больше ёмкость, тем дольше длятся измерения. Разряжайте конденсаторы перед измерениями!
Диоды, светодиоды - показывает где какие выводы и один параметр
Определение и индикация наличия защитных диодов в транзисторах и MOSFET
Тринисторы, тиристоры - просто показывает что это тиристор и где какие выводы
Транзисторы - показывает где какие выводы и пару параметров
Точность измерений правильнособранного дэвайса зависит от точности шести резисторов, думаю понятно каких. Чем они точнее и по параметрам одинаковые, тем точность и правильность измерений будет верной.
Схема тестера:
Рисунок печатной платы в варианте DIP:
Расшифровка выводимой информации на дисплее данного прибора:
NPN - Transistor NPN
PNP - Transistor PNP
N-E-MOS N-Kanal - обогащенный канал
P-E-MOS P-Kanal - обогащенный канал
N-D-MOS N-Kanal - обедненный канал
P-D-MOS P-Kanal - обедненный канал
N-JFET N-Kanal - JFET
P-JFET P-Kanal - JFET
Thyristor - Тиристор
Triac - Симистор
Vt Напряжение открытия (для MOSFET)
C= Емкость затвора (для MOSFET)
H21e (коэффициент усиления по току) - диапазон до 10000
Uf Прямое напряжение
Diode Диод
В разных версиях прошивок выводимая информация может отличаться. В данной статье рассмотрен проект на микроконтроллере Atmega8, в сети есть доработанные варианты прошивок и на других микроконтроллерах. Данный прибор достаточно точен, полный фотоотчет делать не стал, для примера несколько фоток сделал...
Диодная сборка (два диода в одном корпусе)
Транзистор КТ819:
Светодиод:
файлы прошивок (~8кб.)
Скачать файлы печатной платы: , варианты.
AVR transistortester
Набор-конструктор AVR-Transistortester - поставляется в виде набора деталей который включает в себя:
печатную плату и все детали включая резисторы и конденсаторы которые требуются для сборки работоспособного прибора. В набор не входит корпус.Прибор не нуждается в настройке и работоспособен сразу после сборки. Процессор устанавливается в сокет. Светодиод не выводится на переднюю панель. Он не индикаторный, а требуется для работы прибора. При работе его свечение может быть не видно. Дисплей подключается к основной плате через "гребёнку" с шагом 2,54мм. Всю документацию необходимую для сборки прибора (принципиальную схему, монтажную схему и список применяемых компонентов) можно скачать в конце статьи.
На фото - готовый собранный прибор. На втором фото - набор деталей.
Набор-конструктор - это набор деталей.Батарея не входит в комплект.
Возможности прибора.
Тестер позволяет определять биполярные транзисторы, полевые транзисторы MOSFET и JFET, диоды (в том числе и двойные последовательные и встречно-параллельные), тиристоры,симисторы, резисторы, конденсаторы и некоторые их параметры.В частности для биполярных транзисторов:
1. проводимость – NPN или PNP;
2. цоколевку в формате – B=*; C=*; E=*;
3. коэффициент усиления по току – hFE;
5. прямое напряжение база-эмиттер в милливольтах – Uf.
Для MOSFET транзисторов:
1. проводимость (P-канал, или N-канал) и тип канала (E – обогащенный, D – обедненный) – P-E-MOS, P-D-MOS, или N-E-MOS, N-D-MOS;
2. емкость затвора – C;
3. цоколевку в формате GDS=***;
4. наличие защитного диода – символ диода;
5. пороговое напряжение затвор-исток Uf.
Для J-FET транзисторов:
1. проводимость – N-JFET, или P-JFET;
2. цоколевку в формате GDS=***.
Для диодов (в том числе двойных диодов):
1. цоколевку;
2. прямое напряжение анод-катод – Uf.
Для симисторов:
1. тип – Triac;2. цоколевку в формате G=*; A1=*; A2=*.
Для тиристоров:
1. тип – Thyristor;
2. цоколевку в формате – GAK=***.
Результат отображается на двух строчном ЖКИ. Время тестирования менее 2 сек. (за исключением конденсаторов большой емкости), время отображения результата 10 сек. Управление одной кнопкой, выключение автоматическое. Потребление тока в выключенном состоянии менее 20 нА.Диапазон измерения сопротивлений от 2 Ом до 20МОм. Точность не очень высока.Конденсаторы оцениваются хорошо примерно от 0,2 нФ до7000μF. Выше 4000μF точность ухудшается. Измерение больших емкостей может занять до одной минуты.Тестер не является точным прибором и не гарантирует 100% достоверности идентификациии измерений, однако в подавляющем большинстве случаев результат измерений является верным.При измерении силовых тиристоров и симисторов могут возникнуть проблемы, если тестовый ток (7мА) окажется меньше тока удержания.
Документация
Данный тестер с высокой точностью определяет номера и типы выводов транзистора, тиристора, диода и т.д. Будет очень полезен как начинающему радиолюбителю, так и профессионалам.
Особенно незаменим он в тех случаях, когда имеются запасы транзисторов с полустёртой маркировкой, или если не получается найти даташит на какой-нибудь редкий китайский транзистор. Схема на рисунке, кликните для увеличения или скачайте архив:
Типы тестируемых радиоэлементов
Имя элемента - Индикация на дисплее :
NPN транзисторы - на дисплее "NPN"
- PNP транзисторы - на дисплее "PNP"
- N-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "N-E-MOS"
- P-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "P-E-MOS"
- N-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "N-D-MOS"
- P-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "P-D-MOS"
- N-канальные JFET - на дисплее "N-JFET"
- P-канальные JFET - на дисплее "P-JFET"
- Тиристоры - на дисплее "Tyrystor"
- Симисторы - на дисплее "Triak"
- Диоды - на дисплее "Diode"
- Двухкатодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CK"
- Двуханодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CA"
- Два последовательно соединенных диода - на дисплее "2 diode series"
- Диоды симметричные - на дисплее "Diode symmetric"
- Резисторы - диапазон от 0,5 К до 500К [K]
- Конденсаторы - диапазон от 0,2nF до 1000uF
Описание дополнительных параметров измерения:
H21e (коэффициент усиления по току) - диапазон до 10000
- (1-2-3) - порядок подключенных выводов элемента
- Наличие элементов защиты - диода - "Символ диода"
- Прямое напряжение – Uf
- Напряжение открытия (для MOSFET) - Vt
- Емкость затвора (для MOSFET) - C=
В списке приводится вариант отображения информации для английской прошивки. На момент написания статьи появилась русская прошивка, с которой всё стало гораздо понятнее. Скачать файлы для программирования контроллера ATmega8 можно тут.
Сама конструкция получается довольно компактной - примерно с пачку сигарет. Питание от батареи "крона" на 9В. Потребляемый ток 10-20мА.
Для удобства подключения испытуемых деталей, надо подобрать подходящий универсальный разъём. А лучше несколько - для различных типов радиодеталей.
Кстати, у многих радиолюбителей часто возникают проблемы с проверкой полевых транзисторов, в том числе с изолированным затвором. Имея данное устройство, вы сможете за пару секунд узнать и его цоколёвку, и работоспособность, и ёмкость перехода, и даже наличие встроенного защитного диода.
Планарные smd транзисторы тоже с трудом поддаются расшифровке. А многие радиодетали для поверхностного монтажа иногда не удаётся даже примерно определению - или то диод, или что ещё...
Что касается обычных резисторов, то и тут налицо превосходство нашего тестера над обычными омметрами, входящими в состав цифровых мультиметров DT. Здесь реализовано автоматическое переключение необходимого диапазона измерения.
Это касается и проверки конденсаторов - пикофарады, нанофарады, микрофарады. Просто подключите радиодеталь к гнёздам прибора и нажмите кнопку TEST - на экране сразу отобразится вся основная информация о элементе.
Готовый тестер можно разместить в любом небольшом пластмассовом корпусе. Устройство собрано и успешно испытано.
В этой статье представлено устройство - тестер полупроводниковых элементов. Прототипом этого устройства послужила статья размещенная на одном из немецких сайтов. Тестер с высокой точностью определяет номера и типы выводов транзистора, тиристора, диода и др. Будет очень полезен начинающему радиолюбителю.
Типы тестируемых элементов
(имя элемента - индикация на дисплее):
- NPN транзисторы - на дисплее "NPN"
- PNP транзисторы - на дисплее "PNP"
- N-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "N-E-MOS"
- P-канальные-обогащенные MOSFET - на дисплее "P-E-MOS"
- N-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "N-D-MOS"
- P-канальные-обедненные MOSFET - на дисплее "P-D-MOS"
- N-канальные JFET - на дисплее "N-JFET"
- P-канальные JFET - на дисплее "P-JFET"
- Тиристоры - на дисплее "Tyrystor"
- Симисторы - на дисплее "Triak"
- Диоды - на дисплее "Diode"
- Двухкатодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CK"
- Двуханодные сборки диодов - на дисплее "Double diode CA"
- Два последовательно соединенных диода - на дисплее "2 diode series"
- Диоды симметричные - на дисплее "Diode symmetric"
- Резисторы - диапазон от 0,5 К до 500К [K]
- Конденсаторы - диапазон от 0,2nF до 1000uF
При измерении сопротивления или емкости устройство не дает высокой точности
Описание дополнительных параметров измерения:
- H21e (коэффициент усиления по току) - диапазон до 10000
- (1-2-3) - порядок подключенных выводов элемента
- Наличие элементов защиты - диода - "Символ диода"
- Прямое напряжение – Uf
Напряжение открытия (для MOSFET) - Vt
Емкость затвора (для MOSFET) - C=
Схема устройства:
Схема устройства без транзисторов:
Программирование микроконтроллера
Если вы используйте программу AVRStudio достаточно в настройках fuse-битов записать 2 конфигурационных бита: lfuse = 0xc1 и hfuse = 0xd9. Если Вы используйте другие программы настройте fuse-биты в соответствие с рисунком. В архиве находятся прошивка микроконтроллера и прошивка EEPROM, а также макет печатной платы.
Fuse-биты mega8
Процесс измерения достаточно прост: подключите тестируемый элемент к разъему (1,2,3) и нажмите кнопку "Тест". Тестер покажет измеренные показания и через 10 сек. перейдет в режим ожидания, это сделано для экономии заряда батареи. Батарея используется напряжением 9V типа "Крона".
Тестирование симистора
Тестирование диода
Тестирование светодиода
Тестирование сдвоенного диода
Тестирование MOSFET
Тестирование транзистора NPN
